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ITO

ITO.jpg

材料氧化銦錫 
化學(xué)成分In2O3/SnO2 90/10 wt %
純度3N5-5N
熔點(diǎn) (°C)1,800
最大功率密度*                                        (瓦/平方英寸 )20
背板連接


濺射是薄膜沉積的制造過程,是半導(dǎo)體,磁盤驅(qū)動器,光盤和光學(xué)器件行業(yè)的核心。

對于電子層面, 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來,沉積在基板(如硅晶片、太陽能電池板或光學(xué)器件)的過程。濺射過程開始前,將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,在靶源上施加負(fù)電荷,然后靶源沉積到基板,引起等離子體發(fā)光。

濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質(zhì)量、靶原子的表面結(jié)合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應(yīng)用于濺射鍍膜機(jī),包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環(huán)境下反應(yīng)濺射、氣流和磁電管濺射。

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