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Antimony_Sb

電熱合金

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材料
化學(xué)成分Sb
原子量121.76
原子序數(shù)51
純度3N5-5N
顏色/外觀銀灰/半金屬
導(dǎo)熱性24 W/m.K
熔點(diǎn) (°C)630
熱膨脹序數(shù)11 x 10-6/K
理論密度 (g/cc)6.62
Z 比率0.768
濺射射頻,直流
最大功率密度*(瓦/平方英寸 )23
背板連接


濺射是薄膜沉積的制造過(guò)程,是半導(dǎo)體,磁盤驅(qū)動(dòng)器,光盤和光學(xué)器件行業(yè)的核心。

對(duì)于電子層面, 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來(lái),沉積在基板(如硅晶片、太陽(yáng)能電池板或光學(xué)器件)的過(guò)程。濺射過(guò)程開(kāi)始前,將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,在靶源上施加負(fù)電荷,然后靶源沉積到基板,引起等離子體發(fā)光。

濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對(duì)質(zhì)量、靶原子的表面結(jié)合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應(yīng)用于濺射鍍膜機(jī),包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環(huán)境下反應(yīng)濺射、氣流和磁電管濺射。

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